后续的KOH腐蚀对ZnO纳米棒阵列及性能的影响

• 作者: 刘少友 曹晖 李荡
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: 化学沉积 KOH腐蚀 ZNO纳米棒阵列 光电性能
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TB34

摘要

采用化学沉积和KOH腐蚀结合的方法，在FTO导电玻璃上制备了ZnO纳米棒阵列。用XRD、SEM、I-V曲线对ZnO纳米棒阵列的结构和性能进行了表征。结果表明：ZnO纳米棒为单晶，属于六方纤锌矿结构。后续的KOH腐蚀有利于ZnO纳米阵列形貌的改变及光电性能的提高，将ZnO纳米棒阵列作为光阳极制备染料敏化太阳能电池，被KOH腐蚀后的ZnO纳米棒阵列的光电转换效率（η）、短路电流（J∝）、开路电压（V∝）分别达到1．2％、0．006A／cm2、0．557V，与未被KOH腐蚀的ZnO纳米棒相比，光电转换效率提高了1．05％。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘少友	凯里学院化学与材料工程学院	16	17	2.0	4.0
2	李荡	凯里学院化学与材料工程学院	1	0	0.0	0.0
3	曹晖	凯里学院化学与材料工程学院	10	11	2.0	3.0