聚碳硅烷的高温陶瓷化机理

• 作者: 刘春轩 曹柳絮 薛亮 陈建勋 黄启忠
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: C/SiC复合材料 先驱体浸渍裂解法(PIP) 聚碳硅烷(PCS) 裂解
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 矿业工程·冶金工程·化学与化学工程·材料科学与工程
• 页码范围: 52-57
• 页数: 6页
• 分类号: TB32|TG174.453
• 语种: 中文

摘要

通过TG-DTA,IR,XRD和SEM等测试方法分析研究聚碳硅烷(PCS)的热分解过程及在真空高温条件下物相成分及晶形的变化过程.研究结果表明:聚碳硅烷质量损失主要发生在300～700℃之间,300～450℃主要发生小分子聚合物以及裂解产生的分子碎片的挥发;450～650℃之间,Si-H和C-H键发生断裂,生成氢气、烷烃等气体;650～900℃,PCS发生有机无机转变,裂解产物开始具有无机特征;900～1200℃,裂解产物基本不再具有有机特征,PCS完全转化为无定型SiC;1 200℃以后,SiC结晶形成β-SiC和α-SiC,温度升高结晶度增加且伴随晶粒的长大,2 000℃时有SiC的升华现象,且2 000℃的XRD可以证明C在PCS的陶瓷化过程中有一定富余.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛亮		29	169	8.0	11.0
2	黄启忠		161	1430	20.0	30.0
3	陈建勋		11	50	4.0	7.0
4	刘春轩		6	35	3.0	5.0
5	曹柳絮		3	15	1.0	3.0