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摘要:
In this paper, the design of a 9.1 GHz Low Noise Amplifier (LNA) of a RADAR receiver that is used in the Navy is presented. For the design of the LNA, we used GaAs Field-Effect Transistors (FETs) from Agilent ADS component library. In order to keep the cost of the circuit in low prices and the performance high, we design a two-stage LNA.
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文献信息
篇名 An X-Band Low Noise Amplifier Design for Marine Navigation Radars
来源期刊 通讯、网络与系统学国际期刊(英文) 学科 工学
关键词 NAVY RADAR Low Noise AMPLIFIER (LNA) Field Effect Transistor (FET)
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 75-82
页数 8页 分类号 TN7
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研究主题发展历程
节点文献
NAVY
RADAR
Low
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AMPLIFIER
(LNA)
Field
Effect
Transistor
(FET)
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
通讯、网络与系统学国际期刊(英文)
月刊
1913-3715
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
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