脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光电二极管少子寿命

• 作者: 唐忠 崔昊杨 曾俊冬 杨俊杰 许永鹏
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 少数载流子寿命 脉冲恢复技术 扩散长度
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 117-121,133
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 1144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00117

摘要

利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时,采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns,而当考虑短基区效应时,所提取的少子寿命为51 ns.这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时,传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐忠	上海电力学院电子与信息工程学院	101	600	13.0	17.0
2	杨俊杰	上海电力学院电子与信息工程学院	79	328	8.0	13.0
3	崔昊杨	上海电力学院电子与信息工程学院	42	276	11.0	14.0
4	许永鹏	上海电力学院电子与信息工程学院	9	61	5.0	7.0
5	曾俊冬	上海电力学院电子与信息工程学院	10	54	5.0	7.0