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针对SiPM探测器的多通道读出电子学设计
针对SiPM探测器的多通道读出电子学设计
作者:
曾鸣
程建平
邵贝贝
韩晓雪
龚光华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硅光电倍增管(SiPM)
读出电子学
多通道
摘要:
硅光电倍增管(SiPM)由于其高增益、高时间分辨、低工作电压、磁场不敏感等优点,在高能物理、医学物理等领域具有广泛的应用前景.该文设计的系统包含前端电子学和数据采集系统两部分:前端电子学板结合商用专用集成电路(ASIC) (VATA64)与复杂可编程逻辑器件(CPLD),能够同时读出64通道的SiPM,板上同时集成了稳定探测器增益的温度补偿电路和标定增益的发光二极管(LED)驱动电路;数据采集系统以现场可编程门阵列(FPGA)为核心,可以同时读出8块前端电子学板,并为SiPM提供编程可控的工作电压(40~100 V).该系统已经应用于由瑞士、德国、美国和中国合作的正负电子气球谱仪(PEBS)实验的电磁量能器原型设计,并在欧洲核子中心(CERN)束线实验取得了良好的结果.该高密度多通道SiPM电子学读出系统可以逐通道调节探测器偏压,调节精度达4 mV,调节后各通道增益的差异可小于2%.该系统对于其他SiPM在新型粒子径迹室或量能器的应用具备借鉴意义.
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内容分析
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(/年)
文献信息
篇名
针对SiPM探测器的多通道读出电子学设计
来源期刊
清华大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
硅光电倍增管(SiPM)
读出电子学
多通道
年,卷(期)
2014,(6)
所属期刊栏目
工程物理
研究方向
页码范围
695-699,718
页数
6页
分类号
TL82
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
邵贝贝
62
442
13.0
19.0
2
程建平
107
664
13.0
20.0
3
龚光华
21
64
4.0
6.0
4
曾鸣
11
44
5.0
6.0
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韩晓雪
2
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参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
硅光电倍增管(SiPM)
读出电子学
多通道
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
清华大学学报(自然科学版)
主办单位:
清华大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-0054
CN:
11-2223/N
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区清华园清华大学
邮发代号:
2-90
创刊时间:
1915
语种:
chi
出版文献量(篇)
7846
总下载数(次)
26
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