ZnO基异质结紫外光发射器件研究进展

• 作者: 刘为振 刘春阳 刘益春 徐海阳
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: ZnO 异质结 紫外光发射器件 p-n结型
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 进展
• 页码范围: 769-778
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-014-0206-9

摘要

宽禁带半导体ZnO具有高达60 meV的激子束缚能,是一种极具潜力的短波长发光材料.在其p型掺杂存在巨大挑战的现状下,发展ZnO基异质结光发射器件不失为一种理想的选择.本文围绕p-n结型和MIS结型(金属-绝缘体-半导体)两类异质结构,介绍了ZnO紫外发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的研究进展.针对ZnO异质结LED/LD存在的问题(如:发光效率低、稳定性差),重点介绍了通过引入ZnO单晶纳米线和金属局域表面等离激元,以及采用表面钝化等方法,改善器件性能方面的研究工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘益春		50	292	10.0	15.0
2	徐海阳		10	34	3.0	5.0
3	刘春阳		1	0	0.0	0.0
4	刘为振		1	0	0.0	0.0