SiC掺杂量对Diamond/Cu复合材料导热性能的影响

• 作者: 吴磊 徐国良 梁栋 贾成厂 陈惠 高鹏
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 关键词: Diamond/SiC/Cu复合材料 孤立界面模型 SiC掺杂量 超高压熔渗
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 材料·制品·应用
• 页码范围: 184-189
• 页数: 6页
• 字数: 2182字
• 语种: 中文

摘要

采用超高压熔渗法制备了Diamond/SiC/Cu复合材料,通过研究不同SiC含量下样品的热导率变化规律及界面性能,提出孤立界面模型.主要阐释孤立界面模型的适用条件、主要内容及定量公式.通过孤立界面模型,说明低SiC掺杂量的必要性和Diamond骨架对于复合材料导热性能的重要性.结果表明,SiC最佳掺杂量为15％,此时复合材料的综合性能最优:热导率526.7 W·m-1·K-1,热膨胀系数2.4 ppm/K,密度3.74 g/cm3,节省原料成本近15％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高鹏	北京科技大学材料科学与工程学院	14	60	5.0	7.0
2	贾成厂	北京科技大学材料科学与工程学院	227	1841	21.0	26.0
3	梁栋	北京科技大学材料科学与工程学院	10	29	4.0	5.0
4	吴磊	北京科技大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
5	徐国良	北京科技大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	陈惠		1	0	0.0	0.0