氟化硼碳平面的第一性原理研究

• 作者: 刘兵 孙玉明 徐雷 戴振宏 王伟田 王森
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 第一性原理 硼碳平面 电子性质
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 107102-1-107102-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.107102

摘要

基于第一性原理的理论计算,研究了不同氟化程度的BC3, BC5, BC7的稳定结构和电子特征,发现通过B原子替代C原子,F原子与平面结构的结合能力更强了,氟化的硼碳结构比氢化的硼碳结构更加稳定。研究发现：当只有C原子与F原子成键时,体系变成半导体,而当B原子与F原子成键时,即所有原子都与F原子成键,体系变成导体。通过不同程度的氟化, BC3发生半导体-金属的转变, BC5和BC7发生金属-半导体-金属的转变。理论分析表明, B原子的pz 轨道对电学性质变化有较大影响。由于其丰富的电学特性,此类氟化硼碳平面在纳米电子器件领域中具有潜在应用,并且该结果对实验合成也有一定的指导意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴振宏	烟台大学光电信息科学技术学院	37	132	7.0	10.0
2	刘兵	烟台大学光电信息科学技术学院	6	5	1.0	2.0
3	王森	烟台大学光电信息科学技术学院	6	5	1.0	2.0
4	王伟田	烟台大学光电信息科学技术学院	10	49	4.0	6.0
5	孙玉明	烟台大学光电信息科学技术学院	5	27	3.0	5.0
6	徐雷	烟台大学光电信息科学技术学院	5	6	1.0	2.0