图形化ZnO纳米杆的生长与表征

• 作者: 朱小龙 涂亚芳 王强 田玉 陈明月
• 来源期刊: 江汉大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米杆 GaN薄膜 六边形
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 机电与材料科学
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: O781
• 字数: 3228字
• 语种: 中文

摘要

为了得到具有较好紫外发射特性的ZnO纳米杆阵列，以氢气腐蚀过的GaN薄膜为衬底，在较低的温度（105°C）下采用水浴法制备图形化ZnO纳米杆阵列。对制备的样品进行结构和形貌表征，并通过对比实验研究氢气腐蚀处理的影响。结果表明，氢气腐蚀过的GaN薄膜衬底，有利于形成致密、均匀、定向排列的ZnO六边形图案，符合螺旋位错驱使的生长机制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱小龙	江汉大学物理与信息工程学院	12	9	2.0	2.0
2	涂亚芳	江汉大学物理与信息工程学院	7	26	3.0	5.0
3	田玉	江汉大学物理与信息工程学院	11	5	1.0	2.0
4	陈明月	江汉大学物理与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
5	王强	江汉大学物理与信息工程学院	1	0	0.0	0.0