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摘要:
介绍了国内外InP太阳电池的发展现状,对InP太阳电池的技术及其优势进行了分析.探讨了反向生长和低温键合对InP多结太阳电池质量的影响,指出其不仅可以降低位错等缺陷,提高太阳电池的转换效率,并且可以节约材料,一定程度上降低成本.InP纳米线太阳电池制造工艺简单,发展迅速,通过堆叠多个子电池可以实现高的转换效率,是未来InP太阳电池的发展方向之一.高聚光太阳电池已成为全球太阳电池的焦点,高聚光性结合低温半导体键合技术,更高转换效率的InP太阳电池一定会实现.
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文献信息
篇名 InP在太阳电池中的应用及进展
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 InP太阳电池 反向生长 键合技术 转换效率 抗辐射
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 材料与结构
研究方向 页码范围 151-155,167
页数 分类号 TM914.4|TN304.23
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2014.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李玉茹 中国电子科技集团公司第十三研究所 3 2 1.0 1.0
2 付莉杰 中国电子科技集团公司第十三研究所 2 0 0.0 0.0
3 史艳磊 中国电子科技集团公司第十三研究所 2 0 0.0 0.0
4 孙同年 中国电子科技集团公司第十三研究所 3 5 1.0 2.0
5 孙聂枫 8 24 3.0 4.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
InP太阳电池
反向生长
键合技术
转换效率
抗辐射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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微纳电子技术
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