稀释倍数对弱碱性铜粗抛液性能的影响

• 作者: 刘伟娟 刘玉岭 王辰伟 蒋勐婷 袁浩博 陈国栋
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 弱碱性 铜粗抛液 化学机械抛光(CMP) 去除速率 片内非均匀性(WIWNU)
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 262-266
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.04.010

摘要

研究了三种不同稀释倍数的弱碱性铜粗抛液,原液采用商用FA/O型铜抛光液,稀释倍数分别为1倍、3倍和5倍.基于化学机械抛光(CMP)作用机理,在相同工艺条件下分析了三种粗抛液对铜膜的平均去除速率、片内非均匀性(WIWNU)和平坦化性能等指标的影响.铜膜的抛光实验结果表明:稀释3倍的弱碱性铜粗抛液对铜膜平均去除速率高达869.76 nm/min,片内非均匀性仅为2.32％.四层图形片的平坦化测试结果显示,图形片初始高低差为312.5 nm,采用稀释3倍的粗抛液抛光20 s后,有效消除高低差261.5 nm,基本实现了全局平坦化,满足45 nm技术节点的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	蒋勐婷	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
4	袁浩博	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
5	陈国栋	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
6	刘伟娟	河北工业大学微电子研究所	4	18	3.0	4.0