成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响

• 作者: 张旭 钟朝位 黎俊宇
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 成型工艺 陶瓷电容器 SrTiO3 绝缘电阻 偏压特性 温度特性
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷、陶瓷-金属封接专辑
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TM534.1
• 字数: 4226字
• 语种: 中文

摘要

采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1 mm×38.1 mm×0.15 mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片.系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律.实验结果表明:轧膜成型制备出的电容器样品的绝缘电阻偏压特性和温度特性均优于流延成型工艺制得的样品,而且在各个温度下的介电损耗低于流延成型工艺制得的样品.不同的陶瓷基片表面扫描电镜图显示,流延成型的陶瓷介质表面粗糙多孔,而轧膜成型的陶瓷介质表面致密紧实.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟朝位	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	326	8.0	16.0
2	张旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	26	3.0	4.0
3	黎俊宇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0