面向非易失内存的结构和系统级设计与优化综述

• 作者: 孙广宇 王鹏 舒继武
• 来源期刊: 华东师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失存储 存储类内存 存储结构 文件系统 I/O接口
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 技术综述
• 页码范围: 72-81
• 页数: 10页
• 分类号: TP303
• 字数: 5250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5641.2014.05.006

摘要

当今各类计算机应用都进入一个飞速发展的阶段,无论是“计算密集型”还是“存储密集型”应用都对存储系统的容量、性能以及功耗不断提出更高的要求.然而,由于传统内存工艺(DRAM)的发展落后于计算逻辑工艺(CMOS),基于DRAM的内存设计逐渐无法满足这些设计需求.同时,基于HDD的外存性能与DRAM主存间的差距也逐渐增加.而各种非易失存储工艺取得长足的进步,为解决这一问题提供了新的机遇.本文就近年来针对非易失内存的结构和系统级设计与优化的研究工作进行综述,揭示非易失内存对存储系统的性能、功耗等都有明显的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒继武	清华大学计算机系	96	1546	19.0	36.0
2	王鹏	北京大学信息科学技术学院	68	318	10.0	16.0
3	孙广宇	北京大学信息科学技术学院	6	13	2.0	3.0