基于多值RRAM的高能效非易失性SRAM设计

• 作者: 何卫锋 孙亚男 顾家威
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 非易失性SRAM 多值RRAM 数据备份能耗 数据恢复能耗 盈亏时间
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

针对常关即开型应用,本文利用RRAM的多值存储特性,提出了一种基于多值RRAM(MLC)的高能效非易失性SRAM(nvSRAM)单元电路.通过引入新型的多比特数据备份电路,本文提出的MLC-nvSRAM单元实现了将2-bit SRAM数据值同时备份到一个四值RRAM中,明显减小了电路中RRAM的器件个数和平均写入电流,进而有效降低了数据备份能耗.仿真结果表明,与传统基于单值RRAM的SLC-nvSRAM单元相比,所提出的MLC-nvSRAM单元在保持正常SRAM高读写性能的基础上,数据备份能耗和系统盈亏时间的降幅分别高达76.80％和74.01％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何卫锋	上海交通大学微纳电子学系	35	100	4.0	9.0
2	顾家威	上海交通大学微纳电子学系	1	0	0.0	0.0
3	孙亚男	上海交通大学微纳电子学系	1	0	0.0	0.0