离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性

• 作者: 于兆亮 孟祥东 李季 李忠跃 李海波 李维岩
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子液体 硅锗 共沉积 扫描速率 循环伏安
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 1031-1034
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 1617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2014.05.32

摘要

采用电沉积法,在[EMIm]Tf2 N离子液体中选取恒电位制备 SiGe 膜.为考察 SiGe 在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2 N 离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究 SiGe 膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]Tf2 N离子液体中SiGe的共沉积是受扩散控制的非可逆电极过程；在该离子液体中, SiGe共沉积的平均阴极传递系数α=0.175,扩散系数D0=6.64×10-7 m/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李季	吉林师范大学材料物理与化学教育部重点实验室	21	28	3.0	4.0
2	孟祥东	吉林师范大学材料物理与化学教育部重点实验室	27	106	7.0	8.0
4	于兆亮	吉林师范大学材料物理与化学教育部重点实验室	3	13	2.0	3.0
5	李忠跃	吉林师范大学材料物理与化学教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
6	李维岩	吉林师范大学材料物理与化学教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0