原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
描述了一种新型的高性能高能效SIMD乘法阵列的结构.该乘法阵列支持同时执行1个64位乘法,4个32位乘法或16个16位有符号/无符号乘法.通过修改乘法算法实现结构,提高了乘加单元的面积复用度,在较小的面积和性能开销下实现了上述功能.并引入了“溢出补偿技术”解决了复数矩阵乘法运算的判溢出问题.通过牺牲非关键路径上短位宽乘法性能,提高关键路径上高位宽乘法性能.所述结构与文献[1]中乘法簇结构相比,64位乘法延时减少3.65%,面积降低3.92%,功耗提高5.71%.
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文献信息
篇名 高性能 SIMD 乘法阵列体系结构
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 SIMD 乘法 定点 乘加 Booth编码 点积乘法 复数乘法
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 9-13
页数 5页 分类号 TP331.22
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘建平 国防科技大学计算机学院 34 308 10.0 16.0
2 吴虎成 国防科技大学计算机学院 5 7 2.0 2.0
3 刘洋徐瑞 国防科技大学计算机学院 1 1 1.0 1.0
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节点文献
SIMD
乘法
定点
乘加
Booth编码
点积乘法
复数乘法
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
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59060
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