ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度依赖性研究

• 作者: 张宇 张铁强 毕克 王武满
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 生物学
• 关键词: ZnCuInS/ZnS量子点 光致发光 温度特性 能量带隙
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 光电测量
• 页码范围: 38-41
• 分类号: Q472.3
• 语种: 中文

摘要

ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料.制备出了直径为2.9 nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点.从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410 meV.这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关.研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的(Huang-Rhys)因子及平均声子能量.结果表明在50～373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宇	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	120	744	11.0	23.0
2	张铁强	吉林大学物理学院超硬材料国家重点实验室	35	434	9.0	20.0
3	毕克	吉林大学物理学院超硬材料国家重点实验室	4	4	1.0	1.0
4	王武满	吉林大学物理学院超硬材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0