快速求解导体电磁散射问题的插值退化核方法

• 作者: 包扬 潘灿林 程崇虎 薄亚明
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电磁散射 退化核函数 拉格朗日多项式 径向基函数
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 47-51,56
• 页数: 6页
• 分类号: TN011|O441.4
• 字数: 4567字
• 语种: 中文

摘要

退化核函数将积分方程的核函数展开为场源点分离的函数积,可以用于构造积分方程的快速求解算法,项数少、精度高的退化核函数是快速算法的关键.文中针对导体电磁散射问题,研究由两种插值技术构造的退化核,推导了由拉格朗日(Lagrange)多项式和指数型高斯径向基函数构造的退化核,并比较了它们的精度和效率.此外,引入一种新的近表面插值点网格来减少退化核的项数.最后,结合H矩阵框架实现了导体电磁散射问题的快速求解,数值例算验证了插值退化核的有效性,近表面网格的采用可以显著提高算法的计算效率,相比均匀网格,计算时间减少将近45％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程崇虎	南京邮电大学通信与信息工程学院	48	419	11.0	19.0
2	薄亚明	南京邮电大学电子科学与工程学院	16	63	3.0	7.0
6	潘灿林	南京邮电大学电子科学与工程学院	3	15	2.0	3.0
7	包扬	南京邮电大学电子科学与工程学院	1	1	1.0	1.0