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摘要:
针对40 Gb/s 光通信系统对高速芯片的需求,设计出一种微波单片宽带驱动放大器。该放大器基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,可用于驱动铌酸锂调制器。放大器的宽带实现方案选择分布式拓扑结构,增益单元选择带有耦合电容的共源共栅结构。利用 ADS 仿真软件进行设计仿真,结果显示,所设计的放大器在DC-35 GHz的工作带宽内增益响应平坦,电压增益大于10 dB,增益平坦度为±0.5 dB,具驻波特性良好,其输入、输出反射系数在频带内的典型值均小于-10 dB;在1 dB压缩点的输出功率为20 dBm,故设计方案可行。
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文献信息
篇名 40 Gb/s光通信系统驱动放大器设计
来源期刊 西安邮电大学学报 学科 工学
关键词 光通信 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 分布式放大器 共源共栅 铌酸锂调制器
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 [电子科学与技术]
研究方向 页码范围 85-89
页数 5页 分类号 TN722
字数 2893字 语种 中文
DOI 10.13682/j.issn.2095-6533.2014.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 巩稼民 西安邮电大学电子工程学院 103 304 9.0 11.0
2 张博 西安邮电大学电子工程学院 29 35 3.0 4.0
3 李欢 西安邮电大学电子工程学院 5 7 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
光通信
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
分布式放大器
共源共栅
铌酸锂调制器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安邮电大学学报
双月刊
1007-3264
61-1493/TN
大16开
西安市长安区韦郭路
1989
chi
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16555
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