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摘要:
建立了考虑极化情况下高功率微波稀布阵合成场的计算模型,分析了阵列合成场大小与极化及阵元初相位关系。极化方向相同时,二元线阵场分布为明暗相间的条纹,三元面阵场分布为网状结构。阵元极化方向及阵元初相位共同影响合成场的叠加效果,阵元的极化决定阵列合成场的最大值,阵元初相位在此基础上对阵列叠加效果进一步调节。对于二元线阵,极化方向夹角越小,合成叠加效率越高;对三元以上的多元面阵,其极化方向组合方式复杂,可通过阵元位置和目标位置模拟阵列合成场的叠加效率,三元稀布面阵的合成场强归一化最大值在2.22~2.43之间,与理想合成场最大值3有一定的差距。该模型提高了稀布阵列合成场强的计算准确度,对阵列高功率微波进行天线阵列设计,进一步提升目标区域的功率密度是一种比较有效的方法。
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文献信息
篇名 极化情况下高功率微波稀布阵计算模型
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 高功率微波 极化方向 稀布阵 合成场
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 电磁场与微波
研究方向 页码范围 559-562,571
页数 5页 分类号 TN821+.1
字数 2881字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA201404.0559
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 侯德亭 信息工程大学理学院 43 136 6.0 9.0
2 张岩 信息工程大学理学院 18 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
高功率微波
极化方向
稀布阵
合成场
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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7
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11167
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