基于钯纳米线阵列修饰电极的抗坏血酸电化学研究

• 作者: 孙二双 张敏 张燕 程发良 蔡志泉 陈妹琼
• 来源期刊: 广东化工
• 学科: 工学
• 关键词: 钯纳米线 AAO 抗坏血酸
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 24-25
• 页数: 2页
• 分类号: TQ
• 字数: 1406字
• 语种: 中文

摘要

以氧化铝模板为基础,采用电化学沉积方法制备了钯纳米线阵列修饰金电极.电化学方法研究了该修饰电极对抗坏血酸电化学行为,实验结果表明,抗坏血酸在高度有序的钯纳米线饰电极表面出现显著的氧化峰.氧化峰的峰电流与抗坏血酸的浓度在4.0× 104-～3.15× 10-3 mol/L范围内有良好的线性关系,检测限可达1×10-4 mol/L.该电极制备方便,有良好的灵敏度和稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡志泉	东莞理工学院城市学院城市与环境科学系	22	79	6.0	8.0
2	陈妹琼	东莞理工学院城市学院城市与环境科学系	27	68	5.0	7.0
3	张燕	东莞理工学院城市学院城市与环境科学系	17	18	3.0	4.0
4	张敏		2	1	1.0	1.0
5	孙二双		1	0	0.0	0.0
6	程发良		1	0	0.0	0.0