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LiN bO 3芯片的无损边缘抛光实验
LiN bO 3芯片的无损边缘抛光实验
作者:
严吉中
李攀
白满社
邢云云
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
铌酸锂
集成光学器件
边缘抛光
光纤陀螺
摘要:
以抛光垫抛光工艺为基础,研究出一套完整的新型无损边缘抛光工艺,成功实现了高精度光纤陀螺集成光学调制器LiNbO3芯片边缘的无损抛光。即在分析LiNbO3芯片边缘抛光过程中棱边损伤产生原因的基础上,提出3条解决措施:控制研抛浆料中的大颗粒;选择低亚表面损伤的抛光方式;抛光颗粒的大小接近或小于临界切削深度的2倍。加工工件棱边在1500×显微镜下观察无可见缺陷,芯片端面的表面粗糙度 Ra≤0.8 nm,表面平面度优于λ/2,满足了LiNbO3芯片无损边缘抛光要求。同时,该工艺方法具有较大的推广应用价值。
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文献信息
篇名
LiN bO 3芯片的无损边缘抛光实验
来源期刊
应用光学
学科
工学
关键词
铌酸锂
集成光学器件
边缘抛光
光纤陀螺
年,卷(期)
2014,(6)
所属期刊栏目
光学器件与制造
研究方向
页码范围
1069-1074
页数
6页
分类号
TN305.2
字数
3422字
语种
中文
DOI
10.5768/JAO201435.0605004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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1
李攀
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白满社
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邢云云
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严吉中
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铌酸锂
集成光学器件
边缘抛光
光纤陀螺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
应用光学
主办单位:
中国兵工学会
中国兵器工业第二0五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1002-2082
CN:
61-1171/O4
开本:
大16开
出版地:
西安市电子城电子三路西段9号(西安123信箱)
邮发代号:
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
3667
总下载数(次)
3
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