高迁移率ZnO纳米线的太赫兹探测器应用

• 作者: 刘辉强 刘韩 林左叶 梁炯强 楚盛
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米线 场效应管 纳米光子器件 太赫兹
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 647-652
• 页数: 6页
• 分类号: TN29
• 字数: 3866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201405.0647

摘要

报道了一种使用氧化物纳米线(ZnO)构建的新型太赫兹探测器。首先合成了高品质的ZnO 纳米线，并且以此制备了场效应管。通过电输运测量得出 ZnO 纳米线具有高的开关比和良好的场效应迁移率，因此 ZnO 纳米线可作为基于一维场效应管模型的太赫兹探测器的感应端。在室温下不同强度的入射太赫兹波(0.3 THz)都可引起光电压。此外，进一步的分析证明太赫兹波的光敏效应是由于 ZnO 样品自身的高迁移率引起的，这也说明了氧化物纳米电子学将在太赫兹领域得到更广阔的应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林左叶	中山大学物理科学与工程技术学院	2	3	1.0	1.0
2	梁炯强	中山大学物理科学与工程技术学院	1	3	1.0	1.0
3	刘韩	中山大学物理科学与工程技术学院	2	3	1.0	1.0
4	刘辉强	中山大学物理科学与工程技术学院	2	3	1.0	1.0
5	楚盛	中山大学物理科学与工程技术学院	3	4	1.0	2.0