GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺研究

• 作者: 刘素平 徐正文 曲轶 李尧 王鑫 赵懿昊 马骁宇 高婷
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 真空解理 钝化 腔面
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 1013-1015,1049
• 分类号: TN248.2
• 语种: 中文

摘要

对GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺进行了研究,发现在高真空条件下解理和钝化GaAs基半导体激光器能有效减少激光器腔面缺陷,从而抑制非辐射复合.通过测试光致发光(PL)谱线和X射线光电子能谱(XPS)发现,经过超高真空解理钝化的GaAs基半导体激光器bar条的光致发光特性比没有经过真空解理钝化获得比较大的提升,并且bar条表面污染率有很大改观.对真空解理钝化工艺的钝化膜的厚度进行了优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
2	刘素平	中国科学院半导体研究所	37	253	7.0	15.0
3	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
4	王鑫	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	14	37	4.0	5.0
5	高婷	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	29	3.0	4.0
6	徐正文	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	3	12	2.0	3.0
7	赵懿昊	中国科学院半导体研究所	7	5	2.0	2.0
8	李尧		1	2	1.0	1.0