纳米ZnO掺杂及性能研究新进展

• 作者: 徐坤 方莹 李镇 苏照伟
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: 氧化锌 纳米 掺杂 光催化
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 开发与应用
• 页码范围: 172-174
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

作为一种新的宽禁带半导体材料,氧化锌的能带间隙为3.37eV,在光学、电学、光催化、太阳能电池制造方面表现出了更优良的性能,是一种良好的可替代宽禁带半导体.当然氧化锌存在着许多固有缺陷而影响了它的性能,离子的掺杂是一种有效的改性方法.着重介绍离子的掺杂对氧化锌性能的作用的机理过程和研究现状,并对其未来的发展趋势进行可行性的预见.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方莹		56	390	11.0	17.0
2	李镇		31	173	8.0	12.0
3	徐坤		5	9	1.0	3.0
4	苏照伟		4	0	0.0	0.0