硅通孔中电致应力的有限元分析

• 作者: 刘萍 卢子兴 王渊 苏飞
• 来源期刊: 北京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电迁移 电致应力 电致应变 硅通孔 有限元
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 1500-1506
• 页数: 7页
• 分类号: TN406|V257
• 字数: 3850字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13700/j.bh.1001-5965.2013.0646

摘要

在三维电子封装中,硅通孔(TSV,Through-Silicon-Via)是实现芯片垂直互连的关键环节,其可靠性至关重要.随着硅通孔中电流密度的增大,电致应力对TSV可靠性的影响也越来越大.基于该耦合方程和有限元的一般原理,详细地推导了弹性材料属性下TSV内部的电致应力、应变的有限元分析模型;利用ABAQUS中的用户自定义单元(user defining element)接口,实现了该模型的有限元计算,并利用解析解对该有限元模型的正确性进行了验证.利用有限元模型对TSV中铜填充的电迁移问题进行了分析计算,描述了铜填充在电迁移过程中电致应力、应变以及空位浓度的演化过程和分布规律,为三维电子封装可靠性的全面评估提供了一定的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢子兴	北京航空航天大学航空科学与工程学院	122	1697	25.0	37.0
2	王渊	北京航空航天大学航空科学与工程学院	3	6	1.0	2.0
3	苏飞	北京航空航天大学航空科学与工程学院	18	30	4.0	5.0
4	刘萍	北京航空航天大学航空科学与工程学院	4	33	2.0	4.0