卤素、氰基及N原子修饰对四硫富瓦烯衍生物载流子传输性质影响的理论研究

• 作者: 李倩 段雨爱 王光宇 耿允 苏忠民
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 四硫富瓦烯衍生物 载流子传输 密度泛函理论 跳跃模型 能带理论 重组能
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 1471-1479
• 页数: 9页
• 分类号: O641
• 字数: 5074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7503/cjcu20140210

摘要

基于密度泛函理论结合跳跃模型和能带理论研究了氟、氯、氰基和 N 原子的引入对四硫富瓦烯(TTF)衍生物载流子传输性质的影响.计算结果表明，嵌 N 修饰会降低分子重组能，特别是当 N 原子靠近TTF 主体环时作用更明显.与引入卤素修饰相比，引入氰基修饰的分子具有更小的电子和空穴重组能及更低的前线分子轨道(FMO)能级.同时迁移率的计算结果显示，分子6具有1.15 cm2·V-1·s-1的高电子迁移率，考虑其较低的 LUMO 能级，推测其有望成为潜在的优异电子传输材料，而相似的电子和空穴迁移率使分子2有望成为潜在的双极性传输材料.同时还考察了 S 和 N 原子之间的弱相互作用，当 S 或 N 原子对分子HOMO(或 LUMO)有贡献时，其相应的空穴(或电子)传输能力会有所提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏忠民	东北师范大学化学学院功能材料化学研究所	128	631	13.0	17.0
2	耿允	东北师范大学化学学院功能材料化学研究所	10	11	2.0	2.0
3	李倩	东北师范大学化学学院功能材料化学研究所	13	73	4.0	8.0
4	段雨爱	东北师范大学化学学院功能材料化学研究所	2	1	1.0	1.0
5	王光宇	东北师范大学化学学院功能材料化学研究所	1	1	1.0	1.0