基于SOS和LTD技术的高重复频率脉冲发生器

• 作者: 丁臻捷 方旭 浩庆松 潘亚峰 王刚 胡龙 苏建仓 范菊平 袁雪林
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体断路开关 直线变压器驱动源 重复频率 短脉冲发生器
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 103-107
• 页数: 5页
• 分类号: TN78
• 字数: 3037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.045011

摘要

提出了磁饱和直线变压器驱动源(LTD)泵浦半导体断路开关(SOS)产生高重复频率短脉冲的技术路线.利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构和磁芯可饱和的特点,实现快速反向泵浦SOS,通过多级LTD模块叠加获得高电压输出.采用射频金属氧化物场效应晶体管(RF MOSFET)作为LTD初级电路的主开关,将SOS正向泵浦电流脉冲时间降至数十ns,泵浦电流脉冲重复频率最高可达MHz.最终研制出一台基于SOS的10级磁饱和LTD型脉冲发生器,输出电压约11 kV,电流220 A,脉冲宽度约2 ns,重复频率为20kHz.实验验证了磁饱和直线脉冲变压器泵浦SOS产生高重复频率短脉冲的技术路线可行.