基于MOSFET的高重复频率高压脉冲源设计

• 作者: 任先文 刘平 杨周炳 石小燕
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 高压开关组件 高压脉冲 高重复频率 脉冲发生器
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 高功率脉冲电源技术及应用
• 页码范围: 130-133
• 页数: 4页
• 分类号: TN788
• 字数: 1645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201931.180321

摘要

设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高压脉冲电源.该发生器采用多只MOSFET的串联技术,形成高压、高重复频率开关组件.用高压开关组件开展脉冲发生器设计,搭建了一个15只1 kV的高速MOSFET串联的脉冲发生器实验装置,在500Ω 负载上获得前沿小于5 ns、幅度大于10 kV、脉宽约100 ns,瞬态频率达400 kHz的高压脉冲.设计的高压开关组件结构紧凑,可靠性高,可应用于多种脉冲发生器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨周炳	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	30	181	9.0	11.0
2	任先文	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	18	306	6.0	17.0
3	刘平	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	19	25	3.0	4.0
4	石小燕	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	17	66	5.0	7.0