一个通用的记忆器件模拟器

• 作者: 曾以成 李志军 谭志平
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 记忆器件 收缩迟滞曲线 浮地 模拟器
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 098501-1-098501-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.098501

摘要

本文根据惠普忆阻器模型提出了一个新的接地忆阻器模拟等效电路。并以此为基础，采用常规的电子元件构建了一个通用的记忆器件模拟器。该模拟器能在电路拓扑结构不变的情况下，通过改变接入元件的性质能将接地忆阻器分别转化为浮地忆阻器、浮地忆感器和浮地忆容器。由于该模拟器是浮地的，因而可以方便的与其他电子器件实现灵活的连接形式。 Pspice仿真实验验证了模拟器的真确性和有效性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志军	湘潭大学信息工程学院	61	335	9.0	15.0
5	曾以成	湘潭大学光电工程系	116	670	13.0	19.0
6	谭志平	湘潭大学光电工程系	4	48	4.0	4.0