Al/GaN/Al2O3微纳米多层结构界面热阻实验重构

• 作者: 唐大伟 姚贵策 王照亮 田霞 祝捷
• 来源期刊: 工程热物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微纳米结构 界面热阻 双波长TDTR 宽频3ω法
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 2244-2247
• 页数: 4页
• 分类号: TK123
• 语种: 中文

摘要

通过GaN基微纳米器件中纳米尺度界面的热输运成为微系统热管理和热设计的热点和难点,而通过GaN/Al2O3之间界面热阻尚未测试.首先采用双波长TDTR方法测量了Al膜与GaN薄膜之间的界面热阻,然后借助热阻抗网络和参数敏感性分析,利用宽频3ω法对A/lGaN/Al2O3多层薄膜结构内部界面热阻进行实验重构.两种方法测量的GaN/Al2O3之间界面热阻量级相同,相互验证了测试结果的合理性.两种方法结合可实现微纳米多层结构多个热物性参数的精细描述.