二维层状GaTe的晶体结构研究

• 作者: 介万奇 何杰 王涛 王苗 王茂 赵清华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaTe 布里奇曼法 二维纳米层 解理面
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 3059-3062
• 页数: 4页
• 分类号: O77
• 字数: 1871字
• 语种: 中文

摘要

采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究.利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其晶体结构.采用透射电子显微镜对二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe进行观测,并结合晶体定向仪对GaTe解理面进行了定向分析.结果表明,二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe分别对应单斜和六方两种不同的晶体结构,并对应不同的解理面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	王涛	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	100	658	13.0	21.0
3	何杰	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	4	7	2.0	2.0
4	赵清华	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	王茂	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	王苗	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	2	5	1.0	2.0