添加H2对SiH4/N2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响

• 作者: 景亚霓 钟传杰
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子增强化学气相淀积 氮化硅 氢气添加 光学带隙 高频电容-电压特性
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2014.24.003

摘要

研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响.实验结果表明,加入H1使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3.FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加.此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8 sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40土0.05)V降低到(0.10士0.01)V.基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟传杰	江南大学物联网工程学院	53	90	5.0	7.0
2	景亚霓	江南大学物联网工程学院	8	15	2.0	3.0