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摘要:
传统分析介质板次级电子倍增问题的粒子追踪算法方法存在运算耗时长、运算量大等缺点,为此采用统计方法实现了倾斜强直流场下介质击穿过程中次级电子倍增效应的数值模拟,给出了击穿过程中电子数量,电子渡越时间等关键参数的时间图像,同时研究了倾斜角、介质表面光滑度和次级电子产生率对次级电子倍增效应的影响.研究结果表明:强直流场下的次级电子倍增效应存在倾斜角的区域,倾斜角太大或者太小,都可能不会发生次级电子倍增效应,如果倾斜角位于区域内,则饱和状态时电子数目随着倾斜角度的变大而变小;选取光滑系数和次级电子产生系数越小的介质材料,抑制次级电子倍增效应的效果越好.
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文献信息
篇名 倾斜直流场下的介质板击穿统计分析
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 倾斜强直流场 介质单边次级电子倍增 统计方法 易感区域
年,卷(期) 2014,(11) 所属期刊栏目 高功率微波
研究方向 页码范围 130-135
页数 6页 分类号 TN011.2
字数 3522字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201426.113006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周东方 解放军信息工程大学信息系统工程学院 88 1042 15.0 30.0
2 胡涛 解放军信息工程大学导航与空天目标工程学院 14 124 6.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
倾斜强直流场
介质单边次级电子倍增
统计方法
易感区域
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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61664
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