高压储能缺陷电容器直流局部放电信号的统计分析

• 作者: 吴广宁 张血琴 彭倩 李晓华 边姗姗
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 直流局部放电 高压储能电容 Delta(t)参量 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 分析与测试
• 页码范围: 63-66
• 页数: 4页
• 分类号: TM533|TM206
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2007.05.019

摘要

高压直流储能电容器(以下简称电容器)是脉冲功率系统中的常用器件,在武器设备中有着广泛应用,其特殊的应用场合要求其要具有较高的可靠性.但现行的绝缘评估方法不能有效地剔除缺陷产品,判别电容器内部绝缘缺陷的状态,致使有些电容器虽然通过了出厂检测,却在工作过程中过早的发生了击穿,严重影响了所在系统的工作可靠性.局部放电信号蕴涵丰富的绝缘性能渐变信息,其特征参量能有效表征绝缘内部的缺陷类型.对含有不同单一缺陷的电容器进行直流局部放电检测,在引入Delta(t)参量的基础上对测试结果进行统计分析,可以得到典型缺陷电容器直流局部放电信号的各种二维分布谱图和指纹图.通过统计分析结果可以较准确地实现对电容器绝缘缺陷类型的初步判定,同时得到的指纹图也为电容器缺陷的自动识别提供了丰富的特征参量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴广宁	西南交通大学电气工程学院	458	6939	39.0	56.0
2	李晓华	西南交通大学电气工程学院	12	73	5.0	8.0
3	张血琴	西南交通大学电气工程学院	49	680	12.0	26.0
4	边姗姗	西南交通大学电气工程学院	15	110	6.0	10.0
5	彭倩	西南交通大学电气工程学院	9	56	5.0	7.0