DMOS Vfsd之背金工艺窗口研究

• 作者: 张忠华 李理 赵圣哲 陈定平
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: DMOS Vfsd超上限 背面减薄 背面硅腐蚀 表面活性剂 背面注入
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 计算机应用技术 -- 集成电路与微电子技术
• 页码范围: 72-74
• 页数: 3页
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文

摘要

一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低，这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求，在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关键参数对Vfsd的影响。比较减薄机研磨轮目数后发现，研磨轮目数决定背面粗糙度，进而影响背面SI与背面金属的接触电阻和Vfsd；比较硅腐蚀有、无活性剂后发现，加了活性剂的背面硅腐蚀速率温和、均匀性好，可减缓切入式减薄机的Vfsd扇形分布、Vfsd均匀性明显改善。背注能量拉偏后发现，降低背注能量可降低Vfsd的Mean值。综合以上机理分析和实验结果，找到了背面最佳工艺条件，大大拓宽了背金工艺窗口。在最佳背面工艺条件下，这些特殊的DMOS产品Vfsd超上限几率从1.5%下降到0.1%以下、良率平均上升4%，此背金最佳工艺可以成为DMOS生产的标准工艺。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵圣哲		5	6	1.0	2.0
2	陈定平		2	0	0.0	0.0
3	张忠华		1	0	0.0	0.0
4	李理		1	0	0.0	0.0