一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺

• 作者: 傅兴华 杨发顺 林洁馨 马奎
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: BCD工艺 VDMOS 漏极背面引出
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 93-96
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出，这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度．为解决现有BCD工艺存在的缺陷，提出了一种集成有高压VDM OS器件，并将 VDM OS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺．仿真得到VDM OS的阈值电压为2．5 V ，击穿电压为161 V ；N PN管和 PN P管的C-E耐压分别为47．32 V、32．73 V ，β分别为39．68、9．8；NMOS管和 PMOS管的阈值电压分别为0.65 V、-1．16V，D-S耐压分别为17．37V、14．72V．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅兴华	贵州大学电子科学系	57	181	8.0	9.0
2	杨发顺	贵州大学电子科学系	54	125	5.0	8.0
3	马奎	贵州大学电子科学系	35	52	4.0	5.0
4	林洁馨	贵州大学电子科学系	10	11	2.0	2.0