大功率IGBT功耗的研究

• 作者: 王瑞
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 功率损耗 结构 特性 输入电阻
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 82-84
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2368字
• 语种: 中文

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是复合全控型电压驱动式功率半导体器件.为了改善其功耗性能并进行进一步优化,论文在阐述IGBT特性基础上,通过从器件构成和实际应用角度对影响功率器件功耗的主要因素进行分析,并结合实践对IGBT功率器件的功耗进行深入研究,由此可以更深刻地理解IGBT功耗的产生,这对正确选择和使用IGBT器件及其系统有一定的实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞	宝鸡文理学院物理与信息技术系	19	56	5.0	6.0