Si（110）和Si（111）衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管

• 作者: 修向前 刘战辉 单云 张李骊 张荣 李庆芳 谢自力
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅衬底 InGaN/GaN多量子阱 发光二极管
• 年，卷（期）: 2014,（20）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 207304-1-207304-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.207304

摘要

分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件。利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构进行了结构表征。结果表明，相对于Si(111)上生长LED样品， Si(110)上生长的LED结构晶体质量较好，样品中存在较小的张应力，具有较高的内量子效率。对制备的LED芯片进行光电特性分析测试表明，两种衬底上制备的LED芯片等效串联电阻相差不大，在大电流注入下内量子效率下降较小；但是，相比于Si(111)上制备LED芯片， Si(110)上LED芯片具有较小的开启电压和更优异的发光特性。对LED器件电致发光(EL)发光峰随驱动电流的变化研究发现，由于Si(110)衬底上LED结构中阱层和垒层存在较小的应力/应变而在器件中产生较弱的量子限制斯塔克效应，致使Si(110)上LED芯片EL发光峰随驱动电流的蓝移量更小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张荣	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	134	576	13.0	17.0
2	修向前	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	28	97	5.0	9.0
3	李庆芳	南京信息工程大学物理与光电工程学院	15	28	3.0	5.0
4	谢自力	南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室	19	44	5.0	6.0
5	刘战辉	南京信息工程大学物理与光电工程学院	9	17	3.0	3.0
6	张李骊	南京信息工程大学物理与光电工程学院	4	6	1.0	2.0