影响晶圆划片质量的重要因素

• 作者: 夏金凤
• 来源期刊: 卷宗
• 关键词: 晶圆 划片 切割 金刚石
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 科学技术
• 页码范围: 379-379
• 页数: 1页
• 字数: 1737字
• 语种: 中文

摘要

在一片晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有80um至150um的间隙，此间隙被称之为划片街区（Saw Street）。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片或切割（Dicing Saw）。目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（DI water）冲走。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏金凤		3	4	2.0	2.0