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摘要:
用密度泛函理论中的B3LYP方法在6-311++G**基组下加入一定大小的电场(0-0.05a.u.)对硫化硅分子进行了结构优化计算,分别计算其基态几何参数,电偶极矩和分子总能量,计算结果表明硫化硅的分子结构受外电场的影响,电偶极矩随电场的增大而增加,分子总能量随外电场的增加而减少。同时在此基础上加入杂化轨道算法,对硫化硅分子的激发能,激发态波长和振子强度进行了计算,得出激发能随外电场的增加而减少,说明其分子在强外场的影响下变得容易分解,而激发态波长从开始在紫外区逐渐平移到紫光区,振子强度也受外电场很大的影响。
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文献信息
篇名 外场下硫化硅的激发特性研究
来源期刊 科技展望 学科 化学
关键词 硫化硅 激发态 激发能 振子强度
年,卷(期) 2014,(11) 所属期刊栏目 机械化工
研究方向 页码范围 71-72
页数 2页 分类号 O65
字数 2195字 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡成兰 1 0 0.0 0.0
2 夏福友 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
硫化硅
激发态
激发能
振子强度
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技展望
旬刊
1672-8289
64-1054/N
大16开
宁夏回族自治区银川市
1991
chi
出版文献量(篇)
34711
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