第一性计算锑化镓中的缺陷态

• 作者: 侯群 周一帆 张龙 彭馨
• 来源期刊: 江汉大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性计算 锑化镓 缺陷态 形成能
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与机械工程
• 页码范围: 226-228
• 页数: 3页
• 分类号: O471.4
• 字数: 2232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16389/j.cnki.cn42-1737/n.2015.03.006

摘要

基于密度函数理论和广义梯度近似原理，计算了锑化镓（GaSb）体结构中的不同缺陷的形成能。计算结果表明，无论是在Ga-rich晶体条件下还是Sb-rich晶体条件下，主要的缺陷都是空位缺陷VGa和反应缺陷GaSb，这解释了GaSb在不同生长条件下总是P型半导体的原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯群	江汉大学物理与信息工程学院	27	81	5.0	8.0
2	周一帆	江汉大学物理与信息工程学院	3	1	1.0	1.0
3	张龙	江汉大学物理与信息工程学院	7	15	2.0	3.0
4	彭馨	江汉大学物理与信息工程学院	4	4	1.0	1.0