缓冲层结构微晶硅太阳能电池性能的研究

• 作者: 张宏伟 徐征 李超 陈跃宁
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶孵化层 籽晶层 缓冲层
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 307-311
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.42
• 字数: 3174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16197/j.cnki.1nunse.2015.04.004

摘要

采用在耔晶层与I层之间插入缓冲层的方法制备了一组微晶硅太阳电池,其结构式:AI/N层/I层/缓冲层/籽晶层/P层/SnO2∶ZnO/玻璃基底.通过测试表明,具有缓冲层的微晶硅电池的开路电压、短路电流.填充因子和转换效率明显好于无缓冲层的微晶硅电池,当1.6％硅烷浓度沉积籽晶层、3％硅烷浓度沉积缓冲层、5％硅烷浓度沉积I层时,获得微晶硅电池转换效率比无缓冲层高3.18％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈跃宁	辽宁大学物理学院	19	133	7.0	10.0
2	徐征	北京交通大学光电子技术研究所	114	739	13.0	21.0
3	张宏伟	辽宁大学物理学院	4	7	1.0	2.0
4	李超		1	0	0.0	0.0