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摘要:
以InP/InGaAsP脊形波导结构为研究对象,采用有限元算法(FEM),系统地仿真分析了在固定芯层厚度的情况下,不同脊高和脊宽条件下脊形波导的单模特性和偏振特性.在芯层厚度一定的情况下,脊宽越窄,刻蚀深度越浅,波导的传输模式越接近单模.在深刻蚀情况下,脊波导模双折射系数受到脊宽的影响较大,波导的偏振不敏感性较差;在浅刻蚀情况下,模双折射系数(△n=nTE-nTM)受到脊宽和脊高的影响较为微弱,稳定在1.2×10-3.相关仿真和分析为基于InP/InGaAsP脊波导的光电子器件的结构设计提供了一定的理论支持.
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文献信息
篇名 InP/InGaAsP脊波导的单模特性与偏振特性研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 InP/InGaAsP脊波导 单模条件 偏振特性 模双折射系数 光电子器件
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 605-609
页数 分类号 TN814
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘俊 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术重点实验室 181 1162 17.0 24.0
2 唐军 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术重点实验室 64 114 5.0 9.0
3 商成龙 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术重点实验室 2 4 1.0 2.0
4 张天恩 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术重点实验室 4 4 1.0 2.0
5 雷龙海 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术重点实验室 2 4 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
InP/InGaAsP脊波导
单模条件
偏振特性
模双折射系数
光电子器件
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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