四角状纳米ZnO的制备及其场发射性能

• 作者: 刘宏章 胡永红
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 纳米结构 热蒸发法 场发射
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 867-871
• 页数: 5页
• 分类号: TN401
• 字数: 3029字
• 语种: 中文

摘要

利用热蒸发法制备出了新颖的四角状ZnO纳米棒.研究了四角状纳米ZnO的场发射特性.场发射测试表明四角状ZnO纳米棒具有较好的场发射特性,开启电场为2.9 V/μm,阈值电场为5.4 V/μm.这一结果表明四角状ZnO纳米棒是一种性能优良的冷阴极电子发射源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宏章	湖北科技学院核技术与化学生物学院	10	3	1.0	1.0
2	胡永红	湖北工程学院物理与电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0