ZnO纳米线在外加电场下的生长及场发射性能

• 作者: 严文 于灵敏 朱长纯 范新会
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米线 外加电场 场发射性 生长 四角锥状
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 页码范围: 98-100
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 2625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.10.029

摘要

在外加电场条件下,利用化学气相沉积法制备出了长径比为400:1的四角状ZnO纳米线.利用多功能场发射测试仪对ZnO纳米线进行了场发射特性测试,研究了外加电场对ZnO纳米线生长的影响,讨论了ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象产生的原因.结果表明:外加电场大大促进了四角状ZnO纳米线在一维方向上的生长,外加电场下制备的ZnO纳米线在电流密度为0.1 mA/cm2的开启场强仅为2.25V/μm,ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象归因于强场下电子输运速度的饱和.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	范新会	西安工业大学材料与化工学院	112	677	14.0	18.0
3	于灵敏	西安工业大学材料与化工学院	11	51	5.0	6.0
7	严文	西安工业大学材料与化工学院	129	1083	17.0	23.0