ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性

• 作者: 吴锦雷 张兆祥 张琦锋 张耿民 戎懿 薛增泉 陈贤祥 陈长琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 纳米线 气相沉积 场发射
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1225-1229
• 页数: 5页
• 分类号: O462
• 字数: 3261字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.014

摘要

运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张琦锋	北京大学信息科学技术学院	28	186	9.0	12.0
2	戎懿	北京大学信息科学技术学院	1	19	1.0	1.0
3	陈贤祥	合肥工业大学机械与汽车工程学院	4	34	2.0	4.0
4	张耿民	北京大学信息科学技术学院	26	189	8.0	13.0
5	张兆祥	北京大学信息科学技术学院	26	156	7.0	11.0
6	薛增泉	北京大学信息科学技术学院	66	466	11.0	19.0
7	陈长琦	合肥工业大学机械与汽车工程学院	119	1027	16.0	26.0
8	吴锦雷	北京大学信息科学技术学院	48	341	12.0	16.0