ZnO纳米线的快速生长机理及其场发射性能研究

• 作者: 杨智 林建平 郑中华
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 纳米线 生长机理 场发射
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 758-763
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4
• 字数: 3379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20183309.0758

摘要

为了快速制备具有优良场发射性能的ZnO纳米线,对ZnO纳米线的生长机理及场发射性能进行研究.首先采用优化的两步法制备出高长径比的ZnO纳米线,其次采用SEM对ZnO的微观形貌进行表征,然后,在分析形貌特点的基础上,说明了强碱体系下ZnO纳米线薄膜的快速生长机理.最后,对典型样品的场发射性能进行了测试.测试果表明,优化后的两步法,只需3 h即可获得直径为40～50nm,长度为2.2～2.7μm,长径比高达54的纳米线.薄膜的开启电场为3.6 V/μm,阈值场强为9.1 V/um,场增强因子 β 高达3391.研究表明,高pH值溶液可以加快ZnO纳米线沿C轴方向的择优生长,获得高长径比的ZnO纳米线,进而获得优良的场发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑中华	福建师范大学协和学院	7	5	1.0	2.0
2	林建平	厦门理工学院福建省功能材料及应用重点实验室	3	1	1.0	1.0
3	杨智	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	4	5	1.0	2.0