CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理

• 作者: 唐斌 税正伟 邓宏 陈金菊 韦敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米线 ZnO薄膜 CVD V-L-S机理
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 293-296
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.02.012

摘要

以金做催化剂,采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了整齐紧密排列的ZnO纳米线.XRD图谱上只有ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿[001]择优生长;扫描电子显微镜分析表明:ZnO纳米线整齐排列在Si(100)衬底上,直径在100nm左右,平均长度为4μm.研究发现ZnO纳米线的生长机理与传统的V-L-S机理有所不同:生长过程中,在Si(100)衬底上先生长了大约500nm厚的ZnO薄膜,而ZnO纳米线生长在薄膜之上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学微电子与固体电子学院	36	309	11.0	16.0
2	唐斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	210	2076	24.0	33.0
6	邓宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	72	653	14.0	22.0
7	税正伟	西南石油大学理学院	21	84	5.0	8.0
8	韦敏	电子科技大学微电子与固体电子学院	15	131	7.0	11.0