基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

• 作者: 唐斌 张强 税正伟 邓宏
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 汽-液-(V-L-S)机理 汽-固(V-S)机理 ZnO纳米线 ZnO薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 134-136,147
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.01.033

摘要

采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#).X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向.通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,ZnO纳米线整齐排列在Si基片上,直径在100mm左右,平均长度为4μm.通过分析得出,两种基片上生长的ZnO纳米线的生长初理是不相同的:1#样品,在基片表面上先生长ZnO薄膜,再在薄膜上生长ZnO纳米线:2#样品,ZnO纳米线直接外延生长在基片表面.结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐斌	西南石油大学理学院	30	133	6.0	10.0
2	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
3	税正伟	西南石油大学理学院	21	84	5.0	8.0
4	张强	西南石油大学理学院	53	121	6.0	8.0